品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: