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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：10.5nC@5V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：1.931nF@15V
连续漏极电流：19.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
