品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.12W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.12W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.12W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.12W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.12W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:3.12W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:65mΩ@10V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.12W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:3.12W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:65mΩ@10V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:3.12W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:2个N沟道
导通电阻:65mΩ@10V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
功率:3.12W
连续漏极电流:4A(Tc)
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
类型:2 N-通道(双)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.12W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
功率:3.12W
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
输入电容:220pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
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