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    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP013-30QLJ 起订250个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP013-30QLJ 起订250个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP013-30QLJ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.7W(Ta),40W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:50.1 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650 pF @ 15 V

    连续漏极电流:8.6A(Ta),42.5A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:13.3 毫欧 @ 8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订数2000个
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订数2000个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),30W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:15 nC @ 4.5 V

    输入电容:1730 pF @ 15 V

    连续漏极电流:9.8A(Ta),35A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:15.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),5.6W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:87 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),20.5A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:7.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8870

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:20W,30W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:12nC @ 10V

    输入电容:435pF @ 15V

    连续漏极电流:12A,16A

    类型:2 个 N 通道(半桥)

    导通电阻:24 毫欧 @ 7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:20W,30W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:12nC @ 10V

    输入电容:435pF @ 15V

    连续漏极电流:12A,16A

    类型:2 个 N 通道(半桥)

    导通电阻:24 毫欧 @ 7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    连续漏极电流:18A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:20W,30W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:12nC @ 10V

    输入电容:435pF @ 15V

    连续漏极电流:12A,16A

    类型:2 个 N 通道(半桥)

    导通电阻:24 毫欧 @ 7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订数2000个
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订数2000个

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),30W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:15 nC @ 4.5 V

    输入电容:1730 pF @ 15 V

    连续漏极电流:9.8A(Ta),35A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:15.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4845NT1G 起订582个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4845NT1G 起订582个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4845NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:890mW(Ta),62.5W(Tc)

    输入电容:3720 pF @ 12 V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    连续漏极电流:13.7A(Ta),115A(Tc)

    栅极电荷:62 nC @ 11.5 V

    导通电阻:2.9 毫欧 @ 30A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8870 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:4615 pF @ 15 V

    导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V

    漏源电压:30V

    功率:2.5W(Ta)

    栅极电荷:112 nC @ 10 V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    连续漏极电流:18A(Ta)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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