品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:20 nC @ 5 V
连续漏极电流:5.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:20 nC @ 5 V
连续漏极电流:5.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:20 nC @ 5 V
连续漏极电流:5.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:20 nC @ 5 V
连续漏极电流:5.7A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470 pF @ 15 V
连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470 pF @ 15 V
连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.25W(Ta),1.66W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:9.6 nC @ 10 V
输入电容:350 pF @ 15 V
连续漏极电流:4.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
栅极电荷:32 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)
输入电容:1470 pF @ 15 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V
功率:5W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5504BDC-T1-E3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W,3.1W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A,3.7A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:830mW
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:4.5nC @ 4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A,1.7A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W
阈值电压:1.8V @ 250µA
栅极电荷:62nC @ 10V
输入电容:2070pF @ 15V
连续漏极电流:8A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.8W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:15nC @ 10V
输入电容:530pF @ 15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:35 毫欧 @ 5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.8W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:40 nC @ 4.5 V
输入电容:3775 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W,3.1W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A,3.7A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W,3.1W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A,3.7A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:100 nC @ 10 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:830mW
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流:2.5A,1.7A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),5.6W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:87 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250 pF @ 15 V
连续漏极电流:15.2A(Ta),20.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.25W(Ta),1.66W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:9.6 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350 pF @ 15 V
连续漏极电流:4.5A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:50 毫欧 @ 3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W
阈值电压:1.8V @ 250µA
栅极电荷:62nC @ 10V
输入电容:2070pF @ 15V
连续漏极电流:8A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.6W(Ta)
阈值电压:1.8V @ 250µA
栅极电荷:80 nC @ 4.5 V
输入电容:8340 pF @ 15 V
连续漏极电流:17A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:3.2 毫欧 @ 25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W
阈值电压:1.8V @ 250µA
栅极电荷:62nC @ 10V
输入电容:2070pF @ 15V
连续漏极电流:8A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:830mW
阈值电压:1.5V @ 250µA
栅极电荷:4.5nC @ 4.5V
连续漏极电流:2.5A,1.7A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W
阈值电压:1.8V @ 250µA
栅极电荷:62nC @ 10V
输入电容:2070pF @ 15V
连续漏极电流:8A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:16 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:100 nC @ 10 V
连续漏极电流:8.8A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.12W,3.1W
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:7nC @ 10V
输入电容:220pF @ 15V
连续漏极电流:4A,3.7A
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:65 毫欧 @ 3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: