品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD86N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD150N3LLH6
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF03L-04
工作温度:175℃
功率:300W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
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类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD86N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD86N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":657}
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销售单位:个
规格型号(MPN):STP105N3LL
工作温度:175℃
功率:140W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF03L-04
工作温度:175℃
功率:300W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD150N3LLH6
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@40A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF03L-04
工作温度:175℃
功率:300W
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD86N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
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导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
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类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF03L-04
工作温度:175℃
功率:300W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:104W
阈值电压:2.1V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: