采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG65N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：92.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4498pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
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功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
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功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
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功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：MCG65N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：92.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4498pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：MCG65N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：92.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4498pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：MCG65N03-TP
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：92.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4498pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：92.7nC@10V
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输入电容：4498pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：MCG65N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：92.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4498pF@15V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
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输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
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功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
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输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
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功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
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功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
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功率：75W
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栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
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包装清单：商品主体 * 1
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