品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC3025LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V€631pF@15V
连续漏极电流:6A€4.2A
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:22A€88A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS1D5N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:63nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9690pF@15V
连续漏极电流:218A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC3025LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V€631pF@15V
连续漏极电流:6A€4.2A
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:22A€88A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC012N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€64W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8183pF@15V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.23mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:18A€63A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@15V
连续漏极电流:17A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":25772}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€43W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:26A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@15V
连续漏极电流:17A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3016LNS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V
连续漏极电流:9A€6.8A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":260,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€37W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:20A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17579Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.02W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6500
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7036pF@15V
连续漏极电流:71A€200A
类型:N沟道
导通电阻:0.95mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3015LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:60.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2748pF@20V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:18A€63A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB11EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4385,"MI+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3035LWN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:399pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: