采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8568CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流：15A€13A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7085，"09+"：2310，"10+"：2500，"11+"：31427}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4128DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：10.9A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3453DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7386DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APM4953
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：5.3A
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2347DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：3.8A€5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR1309DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@15V
连续漏极电流：19.1A€65.7A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA471DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@15V
连续漏极电流：12.9A€30.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：59502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4917NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1054pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4155DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：10.2A€13.6A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ407EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6414A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@15V
连续漏极电流：13A€30A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4401P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3228pF@15V
连续漏极电流：10A€50A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@15V
连续漏极电流：16A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR164DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：123nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：7.2A€8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4403P_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：9.8A€35A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4155DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：10.2A€13.6A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6414AL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@15V
连续漏极电流：13A€30A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：14194，"08+"：50，"09+"：822}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4108NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€96.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：16A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2369DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@5.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
