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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6.7A
功率：1.5W
类型：2N沟道（双）
输入电容：697pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
输入电容：725pF@15V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6.9A
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6.7A
功率：1.5W
类型：2N沟道（双）
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：697pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
阈值电压：2.1V@250µA
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6A
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
输入电容：800pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSD-13
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
输入电容：725pF@15V
类型：2N沟道（双）
功率：2W
连续漏极电流：6.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
输入电容：800pF@15V
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：6A
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
阈值电压：2.1V@250µA
功率：12W
输入电容：1255pF@15V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6.7A
功率：1.5W
类型：2N沟道（双）
输入电容：697pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：235pF@15V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：1.25W
导通电阻：48mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSD-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
输入电容：725pF@15V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：6.9A
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
功率：12W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
输入电容：1770pF@15V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6.7A
功率：1.5W
类型：2N沟道（双）
输入电容：697pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
功率：12W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
输入电容：1770pF@15V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
阈值电压：2.1V@250µA
功率：12W
输入电容：1255pF@15V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
功率：12W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
输入电容：1770pF@15V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87350Q5D
功率：12W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：5.9mΩ@20A，8V
输入电容：1770pF@15V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4740，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
