采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4C12NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2640，"21+"：2549239，"23+"：1443}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4492
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4492
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4492
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4492
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7406
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€15.5W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：9A€25A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4492
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC090N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：13A€48A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7406
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€15.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：9A€25A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4492
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7406
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€15.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：9A€25A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC090N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：13A€48A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7406
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€15.5W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：9A€25A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7406
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€15.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：9A€25A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV25ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：597pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7406
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€15.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：9A€25A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
