品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ200UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:89pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS351AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:145pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN361BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB200UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€6.25W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:89pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N03FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:206pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:210mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:132mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: