采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3732UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40.8pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3732UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40.8pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3732UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40.8pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3732UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40.8pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3732UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40.8pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3732UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40.8pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
