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    漏源电压: 30V
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 2.7A
    类型: P沟道
    当前匹配商品:80+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3160L-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    输入电容:227pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:122mΩ@2.7A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:155pF@15V

    导通电阻:190mΩ

    功率:1W€2.3W

    类型:P-Channel

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:155pF@15V

    功率:1W€2.3W

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:155pF@15V

    功率:1W€2.3W

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":307000}

    规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:960pF@15V

    导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订31个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订31个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":307000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1188
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2307-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2307-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3160L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:227pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:122mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3160L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:227pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    导通电阻:122mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3160L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:227pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:122mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订15000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3160L-7 起订15000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3160L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:227pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:122mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订39个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订39个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€2.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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