采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9388TRPBF
阈值电压：2.4V@25µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
栅极电荷：52nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@12A，20V
功率：2.5W
输入电容：1680pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1400pF@15V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
功率：3.1W€31W
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407A
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
连续漏极电流：12A
输入电容：2600pF@15V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：11mΩ@12A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407A
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
连续漏极电流：12A
输入电容：2600pF@15V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：11mΩ@12A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3020LSS-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@8A，10V
连续漏极电流：12A
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30.7nC@10V
类型：P沟道
功率：2.5W
输入电容：1802pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
功率：15.6W
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
类型：P沟道
输入电容：1020pF@15V
栅极电荷：15nC@4.5V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9388TRPBF
阈值电压：2.4V@25µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
栅极电荷：52nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@12A，20V
功率：2.5W
输入电容：1680pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1400pF@15V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
功率：3.1W€31W
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA421DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：950pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：3.5W€19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
功率：15.6W
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
类型：P沟道
输入电容：1020pF@15V
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：1550pF@15V
ECCN：EAR99
导通电阻：21mΩ@5A，10V
功率：3.5W€19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：2140pF@15V
导通电阻：20mΩ@6A，10V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
功率：3.5W€19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1400pF@15V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
功率：3.1W€31W
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9388TRPBF
阈值电压：2.4V@25µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
栅极电荷：52nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@12A，20V
功率：2.5W
输入电容：1680pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407A
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
连续漏极电流：12A
输入电容：2600pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：11mΩ@12A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A
功率：15.6W
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
类型：P沟道
输入电容：1020pF@15V
栅极电荷：15nC@4.5V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407A
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
连续漏极电流：12A
输入电容：2600pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：11mΩ@12A，20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
