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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
功率：46W
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2个P沟道（双）
连续漏极电流：60A
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：6200pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：445pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@3A，10V
类型：2个P沟道（双）
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
功率：7.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1350pF@15V
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
功率：5W
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA929DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
输入电容：575pF@15V
功率：7.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA929DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.1V@250µA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
输入电容：575pF@15V
功率：7.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：30V
输入电容：445pF@15V
阈值电压：2.2V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@3A，10V
连续漏极电流：4.5A
功率：7.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1350pF@15V
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3993CDV-T1-GE3
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：111mΩ@2.5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：30V
输入电容：445pF@15V
阈值电压：2.2V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@3A，10V
连续漏极电流：4.5A
功率：7.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P-Channel
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P-Channel
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3993CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：111mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7223DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€23W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1425pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：26.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA929DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：575pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P-Channel
导通电阻：29mΩ
漏源电压：3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7223DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€23W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1425pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：26.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
