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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002P03TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002P03TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002P03TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002P03TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002P03TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2009TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50MA，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J09FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.8V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@5V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：2.7Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002P03TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2009TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50MA，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6J1NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSM002P03T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：0.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSM002P03T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ305TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@50mA，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2009TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50MA，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002P03TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J09FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.8V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@5V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：2.7Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2009TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50MA，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002P03TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6J1NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6J1NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
