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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR500EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：54.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：421A
类型：MOSFET
导通电阻：470μΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
输入电容：9.778nF@25V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
栅极电荷：195nC@10V
功率：500W
连续漏极电流：410A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
输入电容：9.778nF@25V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
栅极电荷：195nC@10V
功率：500W
连续漏极电流：410A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM30010EL_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：450nC
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM30010EL_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：450nC
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4431EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.265nF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM30010EL_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：450nC
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.25A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM30010EL_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：450nC
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
