采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP33N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP33N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP33N25
工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
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连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
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连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP33N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：2.135nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@10V，16.5A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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