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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
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输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
