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    漏源电压: 250V
    类型: N沟道
    阈值电压: 4V@250µA
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434ADY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434ADY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@125V

    连续漏极电流:2.8A€4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP17NF25
    ST Mosfet场效应管 STP17NF25

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP17NF25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF634PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF634PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:8.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@125V

    连续漏极电流:3.7A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7434ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@125V

    连续漏极电流:3.7A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR214PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7190ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7190ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7190ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@100V

    连续漏极电流:4.3A€14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:85
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    加购:40
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N25CT
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF9N25CT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":0}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF9N25CT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:584
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP244PBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP244PBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP244PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@9A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STD17NF25
    ST Mosfet场效应管 STD17NF25

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD17NF25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI644GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI644GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI644GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP244PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP244PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP244PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@9A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR214PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR214TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR214TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF16N25C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF16N25C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2152

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF16N25C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7190ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7190ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7190ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@100V

    连续漏极电流:4.3A€14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR224PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR224PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
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