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    漏源电压: 12V
    行业应用: 汽车
    功率: 500mW
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: P沟道
    当前匹配商品:100+
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    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:55
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3433T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3433T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1882}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3433T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@5V

    连续漏极电流:2.35A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1479
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN306P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5T
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23285F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@6V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23285F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@6V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P 起订15000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P 起订15000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5T
    TI Mosfet场效应管 CSD23285F5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23285F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:628pF@6V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD23280F3T
    TI Mosfet场效应管 CSD23280F3T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23280F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@6V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:116mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4
    TI Mosfet场效应管 CSD23381F4

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:236pF@6V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:175mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:57
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD23280F3
    TI Mosfet场效应管 CSD23280F3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23280F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@6V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:116mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD23280F3T
    TI Mosfet场效应管 CSD23280F3T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23280F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@6V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:116mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN306P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    输入电容:1138pF@6V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD23280F3
    TI Mosfet场效应管 CSD23280F3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23280F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:234pF@6V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:116mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
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