品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BML6401
功率:1.3W
阈值电压:950mV@250μA
输入电容:830pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:125pF@10V
导通电阻:50mΩ@4.5V,4.3A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):BML6401
功率:1.3W
阈值电压:950mV@250μA
输入电容:830pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:125pF@10V
导通电阻:50mΩ@4.5V,4.3A
漏源电压:12V
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规格型号(MPN):BML6401
功率:1.3W
阈值电压:950mV@250μA
输入电容:830pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:125pF@10V
导通电阻:50mΩ@4.5V,4.3A
漏源电压:12V
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阈值电压:950mV@250μA
输入电容:830pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:125pF@10V
导通电阻:50mΩ@4.5V,4.3A
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输入电容:830pF@10V
连续漏极电流:4.3A
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反向传输电容:125pF@10V
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连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:125pF@10V
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漏源电压:12V
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