采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC606P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1699pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@500mA，1.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A060ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@500mA，1.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：17.6mΩ@6A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：17.6mΩ@6A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：17.6mΩ@6A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：17.6mΩ@6A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC606P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1699pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A060APTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：17.6mΩ@6A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC606P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1699pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：17.6mΩ@6A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC606P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1699pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@500mA，1.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：17.6mΩ@6A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：17.6mΩ@6A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
