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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BF998E6327
功率：200mW
连续漏极电流：30mA
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GN2014
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GN2014
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6992，"15+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN28UN，135
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6992，"15+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN28UN，135
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GN2014
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN28UN，135
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
栅极电荷：6.4nC@4.5V
连续漏极电流：8A
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
输入电容：515pF@6V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN28UN，135
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UVT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BF998E6327
功率：200mW
连续漏极电流：30mA
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BF998E6327
功率：200mW
连续漏极电流：30mA
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BF998E6327
功率：200mW
连续漏极电流：30mA
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GN2014
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GN2014
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GN2014
漏源电压：12V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：15A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
