采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：122492，"17+"：1290}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2417R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：210000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K103NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.3W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：1.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K101NUZTDG
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：6.2mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K103NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.3W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：1.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K103NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.3W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：1.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：269987}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K103NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：1.8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K107NUZTCG
工作温度：150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.85mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325LT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD83325L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.25V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
