品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD306P
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@6V
连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD306P
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功率:52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
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功率:52W
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ECCN:EAR99
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功率:52W
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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类型:P沟道
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工作温度:-55℃~175℃
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连续漏极电流:6.7A
类型:P沟道
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类型:P沟道
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行业应用:工业,汽车
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功率:52W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
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类型:P沟道
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