采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：6616A
功率：3W
阈值电压：700mV
连续漏极电流：16A
类型：2个P沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2550T1H-T2-AT
功率：2.2W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4V
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：40mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2550T1H-T2-AT
功率：2.2W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4V
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：40mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：6616A
功率：3W
阈值电压：700mV
连续漏极电流：16A
类型：2个P沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：6616A
功率：3W
阈值电压：700mV
连续漏极电流：16A
类型：2个P沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2550T1H-T2-AT
功率：2.2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：8.7nC@4V
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：40mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：6616A
功率：3W
阈值电压：700mV
连续漏极电流：16A
类型：2个P沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：6616A
功率：3W
阈值电压：700mV
连续漏极电流：16A
类型：2个P沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：6000}
规格型号(MPN)：UPA2550T1H-T2-AT
功率：2.2W
栅极电荷：8.7nC@4V
连续漏极电流：5A
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
类型：2个P沟道
ECCN：EAR99
导通电阻：40mΩ@2.5A，4.5V
输入电容：930pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2550T1H-T2-AT
功率：2.2W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4V
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：40mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350μA
栅极电荷：52nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.9A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350μA
栅极电荷：52nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.9A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400μA
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，5.8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350μA
栅极电荷：52nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.9A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400μA
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，5.8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350μA
栅极电荷：52nC@4.5V
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V，8.9A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：6616A
功率：3W
阈值电压：700mV
连续漏极电流：16A
类型：2个P沟道
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：21mΩ@4.5V，5.8A
阈值电压：900mV@400μA
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
功率：830mW
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：4.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
