品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
输入电容:1040pF@12V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
栅极电荷:12.7nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR020P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1A025APT2CR
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ES6U1T2R
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:2.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A070ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:58nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@6V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZQ050P01TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR040P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZQ050P01TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZL025P01TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J505NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZL025P01TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZQ050P01TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZQ050P01TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR040P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR040P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J512NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16.2mΩ@4A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR040P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J338R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:17.6mΩ@6A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RT1A050ZPTR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J338R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:17.6mΩ@6A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: