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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD2110TT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1072pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD2110TT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1072pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2305DSLT1G
功率：1.1W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD2110TT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1072pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2305DSLT1G
功率：1.1W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2305DSLT1G
功率：1.1W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2305DSLT1G
功率：1.1W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-GE3
阈值电压：1V@350µA
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：6.7A
功率：1.1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4931DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@350µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：18mΩ@8.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
