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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 400µA
栅极电荷：28nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
连续漏极电流：4.9A（Ta）
漏源电压：12V
栅极电荷：28nC @ 4.5V
功率：830mW（Ta）
类型：2 个 P 沟道（双）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：900mV @ 400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：455050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23201W10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325 pF @ 6 V
连续漏极电流：2.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：82 毫欧 @ 500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta）
阈值电压：900mV @ 250µA
栅极电荷：0.71 nC @ 4.5 V
输入电容：21 pF @ 6 V
连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：340 毫欧 @ 500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：80 nC @ 4.5 V
输入电容：5700 pF @ 6 V
连续漏极电流：20A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：80 nC @ 4.5 V
输入电容：5700 pF @ 6 V
连续漏极电流：20A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：80 nC @ 4.5 V
输入电容：5700 pF @ 6 V
连续漏极电流：20A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
输入电容：715 pF @ 6 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：80 nC @ 4.5 V
输入电容：5700 pF @ 6 V
连续漏极电流：20A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：80 nC @ 4.5 V
输入电容：5700 pF @ 6 V
连续漏极电流：20A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：80 nC @ 4.5 V
输入电容：5700 pF @ 6 V
连续漏极电流：20A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta）
阈值电压：900mV @ 250µA
栅极电荷：0.71 nC @ 4.5 V
输入电容：21 pF @ 6 V
连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：340 毫欧 @ 500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
输入电容：715 pF @ 6 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
输入电容：715 pF @ 6 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.9W（Ta）
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：80 nC @ 4.5 V
输入电容：5700 pF @ 6 V
连续漏极电流：20A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.6 毫欧 @ 29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：900mV @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
输入电容：715 pF @ 6 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：50 毫欧 @ 3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
类型：P 通道
漏源电压：12V
连续漏极电流：3A（Ta）
导通电阻：50 毫欧 @ 3.85A，4.5V
输入电容：715 pF @ 6 V
阈值电压：900mV @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
功率：750mW（Ta）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB441EDK-T1-GE3
类型：P 通道
栅极电荷：33 nC @ 8 V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A（Tc）
输入电容：1180 pF @ 6 V
阈值电压：900mV @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），13W（Tc）
漏源电压：12V
导通电阻：25.5 毫欧 @ 4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
