采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：30040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCA14UNYL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.9W
阈值电压：900mV
栅极电荷：8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：35mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP3R7-12QUJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€50W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5nF@6V
连续漏极电流：98.6A€18.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.7mΩ@18.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：10000}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP3R7-12QUJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€50W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：110nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5nF@6V
连续漏极电流：98.6A€18.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.7mΩ@18.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCA14UNYL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.9W
阈值电压：900mV
栅极电荷：8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：35mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R3VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：12.5W
阈值电压：900mV
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2J004NUZTDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：7.1mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：400mV
栅极电荷：1.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
