采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：400mV
栅极电荷：1.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：400mV
栅极电荷：1.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN16M0UCA6-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
连续漏极电流：17A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
输入电容：2.712nF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：400mV
栅极电荷：1.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：400mV
栅极电荷：1.9nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2A
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
栅极电荷：6.4nC@4.5V
连续漏极电流：8A
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
输入电容：515pF@6V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：DMN1250UFEL-7
包装方式：Reel
栅极电荷：1.9nC
连续漏极电流：2A
导通电阻：450mΩ
阈值电压：400mV
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：MOSFET
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：48.3nC@8V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：730mW
连续漏极电流：9.5A
类型：1个P沟道
输入电容：2.712nF@10V
导通电阻：15.3mΩ@4.5V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UVT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.6nC@8V
输入电容：2.426nF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19.6nC@8V
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1029UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
输入电容：1.357nF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@8V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@4.5V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@8V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@4.5V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：19.6nC@8V
输入电容：914pF@6V
连续漏极电流：5.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
