品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.65mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6J11TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6337-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR020P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):US6J11TR
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1A025APT2CR
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3348-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ES6U1T2R
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:2.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM14N956L,EFF
工作温度:150℃
功率:1.33W
阈值电压:1.4V@1.57mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8308-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:2.65mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":122492,"17+":1290}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2417R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:10mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A070ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:58nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@6V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RAL045P01TCR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RAF040P01TCL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000,"18+":11996}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6336-TL-E
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K102ANUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.75mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RAF040P01TCL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZQ050P01TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR040P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":45000,"14+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1335-TL-H
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1602
销售单位:个
规格型号(MPN):RAF040P01TCL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF020P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: