采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP14N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R120P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ14N60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4.5V@390µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@390µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI8N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5967}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R120P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R120P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：40，"19+"：40，"22+"：389，"23+"：350}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R120P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI8N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：40，"19+"：40，"22+"：389，"23+"：350}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R120P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP16N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：347W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1830pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R125CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4.5V@390µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N60CFT
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：6.26A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@3.13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R125CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：92W
阈值电压：4.5V@390µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1503pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5967}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R120P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP16N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：347W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1830pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：595，"13+"：42512}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N60C
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
