采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6025JNZ4C13
工作温度：-55℃~150℃
功率：306W
阈值电压：7V@4.5mA
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@12.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA120N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1562pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6025BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：124W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M6
功率：190W
连续漏极电流：25A
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP33N60M6
功率：190W
连续漏极电流：25A
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125CP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：70nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：110mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：124W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R095CFD7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@1.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA120N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1562pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：124W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO33N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：230W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：33.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6025JNZ4C13
工作温度：-55℃~150℃
功率：306W
阈值电压：7V@4.5mA
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@12.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP120N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1562pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6025JNZ4C13
工作温度：-55℃~150℃
功率：306W
阈值电压：7V@4.5mA
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@12.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP25N60EFL-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2274pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：50，"22+"：233，"23+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：430}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH25N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：216W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3352pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@12.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
