采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FP
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NM60N
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FP
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD1N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@1.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5N60M2
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：165pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.85A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2LN60K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
