采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H9D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@300mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H9D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@300mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTR16P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5120pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：790mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H9D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@300mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H9D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@300mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H9D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：9Ω@300mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN32P60P
连续漏极电流：32A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：11100pF@25V
栅极电荷：196nC@10V
类型：P沟道
包装方式：管件
导通电阻：350mΩ@500mA，10V
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT16P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：5120pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：720mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT16P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：5120pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：720mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
