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    漏源电压: 600V
    行业应用: 汽车
    功率: 39W
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1676pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

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    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订54个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订54个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":900,"23+":8659}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

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    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

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    功率:39W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    栅极电荷:6.1nC@10V

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    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

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    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订10050个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订10050个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:138pF@25V

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    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订525个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订525个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订75个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订75个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":415}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF190N60-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订2025个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CH C5G 起订2025个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":900,"23+":8659}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF7N60FD 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF7N60FD 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF7N60FD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:995pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF190N60-F154 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":415}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF190N60-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF10N60ZG 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF10N60ZG 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":280,"12+":19459,"13+":74943,"9999":2000,"MI+":3270}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF10N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1645pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":15000,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1676pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订75个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NC1R5CH C5G 起订75个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NC1R5CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:242pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF10N60ZG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF10N60ZG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":280,"12+":19459,"13+":74943,"9999":2000,"MI+":3270}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF10N60ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1645pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":900,"23+":8659}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF065N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF065N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF7N60FD 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF7N60FD 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF7N60FD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:995pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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