品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:5950pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SiHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB125A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2993pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB125A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2993pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHW47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP099N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3465pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT27S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1294pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB125A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2993pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT27S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1294pF@100V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB125A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2993pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.95nF@100V
连续漏极电流:37A
类型:1个N沟道
导通电阻:104mΩ@10V,18.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG039N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:61A
类型:MOSFET
导通电阻:40mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH099N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3465pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG039N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:3V
栅极电荷:84nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:61A
类型:MOSFET
导通电阻:40mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG039N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:3V
栅极电荷:84nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:61A
类型:MOSFET
导通电阻:40mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH104N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4302pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: