采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF4N60S
功率：106W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
功率：44.6W
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF4N60S
功率：106W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
