品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW36NM60ND
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@9,5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:347nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG018N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:524W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7612pF@100V
连续漏极电流:99A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM60FD
工作温度:-65℃~150℃
功率:214W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF43N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2628pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@100V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:201mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF28N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW55NM60ND
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1533pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP43N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP33N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1055pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF12N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1676pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1055pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2628pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW28N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@10.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF7N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG068N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2628pF@100V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: