采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60A
工作温度：-50℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60A
工作温度：-50℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB125A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2993pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：784pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB125A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2993pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60N043DM9
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：78.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4675pF@400V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@28A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：41.7W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
