采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R040CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4351pF@400V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
