品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":3000}
规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
导通电阻:15Ω@400mA,10V
栅极电荷:4.9nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:92pF@25V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
连续漏极电流:4.6A
栅极电荷:16nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
功率:54W
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
阈值电压:3.5V@250µA
功率:125W
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1948pF@380V
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":296,"16+":25733}
销售单位:个
包装规格(MPQ):700psc
规格型号(MPN):SFT1440-TL-E
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:8.1Ω@800mA,10V
功率:1W€20W
连续漏极电流:1.5A
输入电容:130pF@30V
栅极电荷:6.3nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
连续漏极电流:4.6A
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
功率:54W
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
输入电容:1135pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
规格型号(MPN):FCMT299N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
阈值电压:3.5V@250µA
功率:125W
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1948pF@380V
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
功率:2.5W
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
功率:208W
连续漏极电流:20.2A
输入电容:2950pF@100V
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
功率:50W
栅极电荷:16.6nC@10V
输入电容:540pF@25V
漏源电压:600V
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB7N60TM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:920pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1223
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
输入电容:1120pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
输入电容:1135pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
连续漏极电流:4.6A
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
漏源电压:600V
功率:54W
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{}
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
输入电容:4175pF@400V
阈值电压:4.8V@4.6mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:41A
ECCN:EAR99
功率:255W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
功率:52W
漏源电压:600V
输入电容:720pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:70W
输入电容:350pF@30V
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":6800,"23+":7500,"MI+":5000}
规格型号(MPN):FCD600N60Z
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
输入电容:1120pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
功率:2.5W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: