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    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":3000}

    规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    阈值电压:4.5V@50µA

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    栅极电荷:4.9nC@10V

    漏源电压:600V

    输入电容:92pF@25V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    连续漏极电流:4.6A

    栅极电荷:16nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    功率:54W

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:125W

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:1948pF@380V

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1440-TL-E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1440-TL-E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":296,"16+":25733}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):700psc

    规格型号(MPN):SFT1440-TL-E

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1Ω@800mA,10V

    功率:1W€20W

    连续漏极电流:1.5A

    输入电容:130pF@30V

    栅极电荷:6.3nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}

    规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:114W

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:200mA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    连续漏极电流:4.6A

    阈值电压:5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:16nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    功率:54W

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    输入电容:1135pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.3A

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    漏源电压:600V

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:52nC@10V

    功率:125W

    漏源电压:600V

    输入电容:1490pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:125W

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:1948pF@380V

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    功率:2.5W

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT199N60

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:74nC@10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:208W

    连续漏极电流:20.2A

    输入电容:2950pF@100V

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.9A

    功率:50W

    栅极电荷:16.6nC@10V

    输入电容:540pF@25V

    漏源电压:600V

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    类型:1个N沟道

    功率:2.5W€49W

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    栅极电荷:19nC@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:4V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB7N60TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB7N60TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FQB7N60TM

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    导通电阻:1Ω@3.7A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:1430pF@25V

    漏源电压:600V

    功率:3.13W€142W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:920pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订42个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订42个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:1223

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:4.5V@50µA

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N60Z 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N60Z 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD600N60Z

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    输入电容:1120pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:600mΩ@3.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    输入电容:1135pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.3A

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    漏源电压:600V

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:52nC@10V

    功率:125W

    漏源电压:600V

    输入电容:1490pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    连续漏极电流:4.6A

    阈值电压:5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:16nC@10V

    漏源电压:600V

    功率:54W

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{}

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    输入电容:4175pF@400V

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:41A

    ECCN:EAR99

    功率:255W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    功率:83W

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD900N60Z 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD900N60Z 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD900N60Z

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:52W

    漏源电压:600V

    输入电容:720pF@25V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD5N60CTM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    类型:1个N沟道

    功率:2.5W€49W

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    栅极电荷:19nC@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:4V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:200mA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}

    规格型号(MPN):ATP602-TL-H

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    功率:70W

    输入电容:350pF@30V

    导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N60Z 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N60Z 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":6800,"23+":7500,"MI+":5000}

    规格型号(MPN):FCD600N60Z

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    输入电容:1120pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:600mΩ@3.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    功率:83W

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    功率:2.5W

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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