采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
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功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
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输入电容：138pF@25V
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类型：N沟道
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功率：39W
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栅极电荷：6.1nC@10V
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输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
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功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
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功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
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功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
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输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
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功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
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输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM1NB60CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
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输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM1NB60CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
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连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
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功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
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输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
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输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM1NB60CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
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输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM1NB60CP ROG
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
输入电容：138pF@25V
功率：39W
连续漏极电流：1A
漏源电压：600V
栅极电荷：6.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB125A60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2993pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
