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    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订70个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订70个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.205nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

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    输入电容:1.205nF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4040}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

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    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":109000,"MI+":7000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF22N60NT

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    连续漏极电流:22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,11A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订297个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订297个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP8N60C

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    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.255nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

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    功率:2.5W€49W

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    栅极电荷:19nC@10V

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    输入电容:670pF@25V

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    漏源电压:600V

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订351个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订351个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4040}

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

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    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

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    输入电容:670pF@25V

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    类型:1个N沟道

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    漏源电压:600V

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订55个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订55个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":230}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF22N60NT

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,11A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP8N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.255nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP8N60C

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    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

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    输入电容:1.255nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP8N60C

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    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

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    输入电容:1.255nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":109000,"MI+":7000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF22N60NT

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,11A

    漏源电压:600V

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订131个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订131个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF22N60NT

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

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    连续漏极电流:22A

    类型:1个N沟道

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    漏源电压:600V

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    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订5000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

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    连续漏极电流:22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,11A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF22N60NT

    功率:39W

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    包装方式:管件

    连续漏极电流:22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,11A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订297个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订297个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP8N60C

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    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.255nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF22N60NT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":109000,"MI+":7000}

    包装规格(MPQ):50psc

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    规格型号(MPN):FCPF22N60NT

    功率:39W

    阈值电压:4V@250μA

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    连续漏极电流:22A

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    导通电阻:165mΩ@10V,11A

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订351个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订351个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":4040}

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    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

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    功率:2.5W€49W

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    连续漏极电流:2.8A

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    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):70psc

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

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    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:600V

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    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FQP8N60C

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

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    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:600V

    导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A

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    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7.5A

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

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    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.205nF@100V

    连续漏极电流:13A

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    漏源电压:600V

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    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA14N60E-GE3 起订2个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3

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    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

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    栅极电荷:64nC@10V

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    输入电容:1.205nF@100V

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    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订30个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

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    阈值电压:4V@250μA

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    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订980个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订980个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N60C 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP8N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.255nF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M2

    功率:25W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订490个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU5N60CTU 起订490个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU5N60CTU

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€49W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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