采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076ENZ1C9
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@44.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：305W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6025BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENZC17
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076ENZ1C9
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@44.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENZC17
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：735W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@44.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENXC7G
工作温度：150℃
功率：46W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ENXC7G
功率：60W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ENXC7G
功率：60W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007ENXC7G
工作温度：150℃
功率：46W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：231W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENXC7G
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6047ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：481W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@25.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6047ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：481W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@25.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
