采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：3.7V@790µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI7N60TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI7N60TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：3.7V@790µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：3.7V@790µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：3.7V@790µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF400N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI7N60TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI7N60TU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16J60W，S1VE
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF400N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
