包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH26N60P

工作温度：-55℃~150℃

功率：460W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4150pF@25V

连续漏极电流：26A

类型：N沟道

导通电阻：270mΩ@500mA，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R160C6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：176W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：75nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：140mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP60R125CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：70nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTH10P60

工作温度：-55℃~150℃

功率：300W

阈值电压：5V@250µA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4700pF@25V

连续漏极电流：10A

类型：P沟道

导通电阻：1Ω@5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：151W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP60R160C6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：176W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：75nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：140mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R160C6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：176W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：75nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：140mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTH10P60

工作温度：-55℃~150℃

功率：300W

阈值电压：5V@250µA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4700pF@25V

连续漏极电流：10A

类型：P沟道

导通电阻：1Ω@5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTH10P60

工作温度：-55℃~150℃

功率：300W

阈值电压：5V@250µA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：4700pF@25V

连续漏极电流：10A

类型：P沟道

导通电阻：1Ω@5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFR36N60P

工作温度：-55℃~150℃

功率：208W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：102nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：5800pF@25V

连续漏极电流：20A

类型：N沟道

导通电阻：200mΩ@18A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R160P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：44nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：144mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFR36N60P

工作温度：-55℃~150℃

功率：208W

阈值电压：5V@4mA

栅极电荷：102nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：5800pF@25V

连续漏极电流：20A

类型：N沟道

导通电阻：200mΩ@18A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R041P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：481W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：170nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77.5A

类型：MOSFET

导通电阻：37mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R165CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：192W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：39nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：21A

类型：MOSFET

导通电阻：165mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：13100，"22+"：11498，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN60R280P7SXKSA1

工作温度：-40℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R045CPA

工作温度：-40℃~+150℃

功率：431W

阈值电压：3V

栅极电荷：190nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：45mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R160C6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：176W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：75nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：23.8A

类型：MOSFET

导通电阻：140mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG100N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：R6030JNZ4C13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370W

阈值电压：5V

栅极电荷：74nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：143mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：R6030JNZ4C13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370W

阈值电压：5V

栅极电荷：74nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：143mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW35N60C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：313W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：150nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：34.6A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA60R190P6

工作温度：-55℃~+150℃

功率：34W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：37nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20.2A

类型：MOSFET

导通电阻：190Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1